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3相變頻器的損耗和溫度上升
在諸如PWM控制等發生復雜損耗的情況下，計算IGBT和FWD的損耗較困難。建議使用帶有演算功能的DSO（數字存儲示波器）等對實際工作的電路進行測量。（例如：Tektronix的產品中備有動力解析軟件TDSPWR3）選擇散熱器時需要知道大概的損耗，在此舉例介紹一下計算損耗的方法。
范例
PTMB75B12C, 變頻器輸出電流 (IOP) 75A, 控制率 (m) 1, 開關頻率 (f) 15kHz, 功率因數cosφ 0.85。
在此重新說明一次，IGBT的損耗為通態損耗Psat、開通損耗PON、關斷損耗POFF之和，而FWD的損耗為通態損耗PF、反向恢復損耗PRR 之和。
由于 IOP＝75A, VCE(sat) ＝2.2V (125℃), m＝1, cosφ＝0.85,Psat＝35.5(W)
相對于外殼溫度的過渡結溫上升：
VF在75A、125℃條件下的 FWD 正向電壓為1.8V。PF=4.7W
從圖表上可以獲知，75A時1脈沖單位的開通、關斷、反向恢復能量分別為7.5mJ、7mJ、6mJ。與頻率（15kHz）、還有1/π*1相乘后，即可得出平均損耗。
EON＝35.8(W)、EOFF＝33.4(W)、ERR＝28.6(W)
單個IGBT、FWD的損耗：
各個IGBT、FWD的溫度上升：
單個IGBT、FWD的損耗：
單個IGBT的 單個FWD的
平均損耗范例 平均損耗范例
104.7W 33.3W
(Psat+PON+POFF) (PF+PRR)
各個IGBT、FWD的損耗：模塊整體的損耗828W
各個IGBT、FWD的損耗：模塊整體的損耗828W
IGBT：Rth(j-c)=0.3℃/W，ΔT(j-c)＝31.4℃
FWD：Rth(j-c)=0.6℃/W，ΔT(j-c)＝20.0℃
上一頁所計算的溫度上升是平均或穩態的數值。根據需要，可以使用過渡熱阻計算溫度上升的最高值。
rth(t)是時間t的過渡熱阻
對于內置有多個IGBT的模塊，選取損耗最大（溫度上升最高）的IGBT，另加上上述的溫度脈動部分。
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