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FF200R12KS4英飛凌IGBT模塊
產品作用和性能：
英飛凌FF200R12KS4 是英飛凌公司專門針對高頻應用領域而開發發行的62mmC-Series模塊，在變頻器中的應用實現了系統的高效率和小型化，其開關頻率在20~50kHz的應用場合能發揮最大優良特性 。而在典型情況下， IGBT模塊的優化，所針對的載波頻率卻是10kHz或更低。通常，在IGBT/FWD芯片的通態壓降和開關損耗之間有一個折衷關系。高速模塊在進行性能折衷時，是讓通態電壓偏大，以換取偏低的開關功耗，從而能在高頻應用中實現最低的總功耗。其在醫療應用、電機傳動、諧振逆變器應用、伺服驅動器、UPS系統作為高頻開關使用。
英飛凌IGBT模塊FF200R12KS4
上海菱端電子科技有限公司www.locksmithsminnesota.com常備FF200R12KS4大量現貨，價格從優，歡迎聯系采購及技術支持。
英飛凌FF200R12KS4機械特性 ：
英飛凌FF200R12KS4機械特性 ：
• 封裝的CTI>400
• 高爬電距離和電氣間隙
• 絕緣的基板
• 銅基板
• 標封裝
英飛凌FF200R12KS4 基本參數:IGBT模塊,1200V/200A DUAL
英飛凌FF200R12KS4 基本參數:IGBT模塊,1200V/200A DUAL
英飛凌FF200R12KS4 外形封裝尺寸和結構圖
英飛凌FF200R12KS4 產品參數：
產品種類： IGBT 模塊
產品： IGBT Silicon Modules
品牌和型號 英飛凌FF200R12KS4
配置： Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO： 1200 V
集電極—射極飽和電壓： 3.2 V
在25 C的連續集電極電流： 275 A
柵極—射極漏泄電流： 400 nA
功率耗散： 1.4 kW
最大工作溫度： + 125 C
封裝 / 箱體： 62 mm
商標： Infineon Technologies
柵極/發射極最大電壓： +/- 20 V
最小工作溫度： - 40 C
安裝風格： Screw
產品價格和中英文資料 聯系我們咨詢和索取
每盒數量： 10
英飛凌FF200R12KS4 等效電路
英飛凌FF200R12KS4 IGBT模塊受損原因分析
IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：
--IGBT柵極與發射極之間的電壓;
--IGBT集電極與發射極之間的電壓;
--流過IGBT集電極-發射極的電流;
--IGBT的結溫。
如果IGBT柵極與發射極之間的電壓，即驅動電壓過低，則IGBT不能穩定正常地工作，如果過高超過柵極-發射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞;同樣，如果加在IGBT集電極與發射極允許的電壓超過集電極-發射極之間的耐壓，流過IGBT集電極-發射極的電流超過集電極-發射極允許的最大電流，IGBT的結溫超過其結溫的允許值，IGBT都可能會永久性損壞。
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