CREE Sic MOSFET

科銳（Cree）發布第二代碳化硅MOSFET，相比硅材料的解決方案，它可以使系統變得更小，效率更高。在相同的功率密度和開關效率的條件下，比科銳（Cree）第一代MOSFET產品每安培成本下降一半。從這個角度說，它可以降低OEM的系統成本，終端用戶的能耗和安裝運輸成本。

第二代碳化硅MOSFET具有高開關速度低寄生電容，高阻斷電壓低導通電阻正溫度系數，易于并聯，驅動簡單等特點，廣泛用于光伏，開關電源，高壓DCDC變換器，電機驅動等領域;

目前，科銳（Cree）發布的碳化硅MOSFET電壓等級有1200V，1700V，單管型號的導通電阻分別為25mΩ，40mΩ，80mΩ，160mΩ，280mΩ，1Ω；同時科銳（Cree）還發布的碳化硅MOSFET模塊，詳細情況請聯系我們。